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FP – Simulationsmodelle für SiC-MOSFET

Simulationsmodelle für SiC-MOSFET

Im Rahmen dieser Arbeit ist ein vorhandenes Spice-Modell auf verfügbare SiC-MOSFET verschiedener Hersteller zu parameterisieren. Soweit verfügbar sind die benötigten Daten den Datenblättern der Hersteller zu entnehmen, anderenfalls und bei berechtigten Zweifeln an den Datenblattangaben meßtechnisch zu ermitteln. Ziel sollte sein, die Modellparameter soweit möglich auf ihre physikalische Basis zurückzuführen, um innerhalb einer Technologie eine begrenzte Skalierbarkeit des Spice-Models über den Parameter „aktive Chipfläche“ zu erhalten. Die Modelle sind beispielhaft anhand einzelner Schaltmessungen zu verifizieren.

Bearbeiter: Erik Schuhmann

Betreuer: Dr. Stefan Waffler (Siemens Healthcare GmbH) – Telefon: 09131-849338

Verantwortlicher: Prof. Dr.-Ing. Martin März