Im Rahmen der Forschung zur kryogenen Leistungselektronik charakterisieren wir alle Arten elektronischer Bauelemente bis hinunter zu Temperaturen des flüssigen Stickstoffs (–196°C).
Da praktisch kein kommerziell verfügbares Bauelement für so tiefe Temperaturen vom Hersteller spezifiziert ist,liefern unsere Ergebnisse eine wertvolle Grundlage für jede Entwicklung kryogener Leistungselektronik.
Im Rahmen unserer Arbeiten entwickeln wir die gesamte benötigte Kühl-, Prüfstands- und Messtechnik und führen umfangreiche Messreihen an den zu untersuchenden Bauelementen durch, dazu gehören:
- Leistungshalbleiterbauelemente (Si, GaN)
- Integrierte Schaltungen (z.B. Gate-Treiber)
- Magnetischen Kernmaterialien
Ansprechpartner
Stefanie Büttner
Lehrstuhl für Leistungselektronik
Wissenschaftliche Mitarbeitende
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Publikationen
2025
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Detailed Characterization of Isolated Single and Half-Bridge Gate Drivers from Room Temperature to Cryogenic Temperatures
In: Electronics 14 (2025), S. 1297
ISSN: 2079-9292
DOI: 10.3390/electronics14071297
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2023
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Design and Operation of a Cost-Effective Cooling Chamber for Testing Power Electronics at Cryogenic Temperatures
In: IEEE Instrumentation & Measurement Magazine 26 (2023), S. 46-51
ISSN: 1094-6969
DOI: 10.1109/MIM.2023.10121411
BibTeX: Download
2022
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Profitability of low-temperature power electronics and potential applications
In: Cryogenics 121 (2022), Art.Nr.: 103392
ISSN: 0011-2275
DOI: 10.1016/j.cryogenics.2021.103392
BibTeX: Download - , , :
Characterization of a Si and GaN converter at cryogenic temperatures
In: Cryogenics 128 (2022), S. 103594
ISSN: 0011-2275
DOI: 10.1016/j.cryogenics.2022.103594
BibTeX: Download