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MA – Kompaktmodelle für SiC-MOSFET

Kompaktmodelle für SiC-MOSFET

Im Rahmen der Arbeit sollen SPICE-Kompaktmodelle von Infineon für kommerziell erhältliche SiC-MOSFET hin¬sichtlich ihrer Genauigkeit bezüglich der Schalteigenschaften untersucht und bewertet werden. Dazu sind Doppel-Puls-Messungen durchzuführen, die wesentlichen Schalteigenschaften (Schaltenergien, Strom- und Spannungssteilheiten, etc.) zu bestimmen und mit den Ergebnissen von Schaltkreissimulationen (SPICE) auf der Basis der zu evaluierenden Kompaktmodelle zu vergleichen. Insbesondere soll der Einfluss charakteristischer elektrischer Eigenschaften des SiC-MOSFET (DIBL, Hysterese) auf das Schaltverhalten heraus-gearbeitet und deren Implementierung im Kompaktmodell evaluiert werden.

– Literaturrecherche zu SiC-MOSFET und Kompaktmodellen
– Durchführung, Auswertung und Vergleich von Doppel-Puls-Messungen und Simulationen
– Bewertung des Kompaktmodells

Bearbeiter: reserviert für Andreas Hofmann

Betreuer: Dr. Thomas Heckel (Fraunhofer IISB) – Telefon: 09131-761436; Email: Thomas.Heckel@iisb.fraunhofer.de;
Christopher Joffe (Fraunhofer IISB) – Telefon: 09131-761296; Email: Christopher.Joffe@iisb.fraunhofer.de;
Dr. Andreas Hürner (Infineon AG)

Für Studienfächer: EEI, Mechatronik, Energietechnik

Verantwortlicher: Prof. Dr.-Ing. Martin März