MA – Erstellung eines Simulationsmodells

Erstellung eines Simulationsmodells für GaN-Leistungshalbleiterschalter

In dieser Masterarbeit gilt es, ein Simulationsmodell für einen GaN-Enhancement-Mode Schalter im Pro­gramm LTspice zu erstellen. Als Parameterisierungsbasis sollen neben dem Datenblatt bevorzugt eigene Mess­daten herangezogen werden. Dazu ist eine Möglichkeit zur Bestimmung des Ausgangskennlinienfelds unter Minimierung des Temperatureinflusses durch die Messung selbst zu erarbeiten. Es ist ein Modell zu entwickeln und auf der Basis der Meßdaten zu parameterisieren, das die statischen Kennlinien im ersten und dritten Quadranten für drei verschiedene Temperaturen möglichst realitätsnah wiedergibt. Daneben ist im Modell eine präzise Beschreibung der Kapazitätskennlinien und der parasitären Induktivitäten für eine korrekte Simulation des dynamischen Verhaltens des Schalters unabdingbar. Das erstellte Modell ist experimentell anhand von Messungen an einem Schaltmessplatz zu validieren.

Bearbeiter: Christian Novak

Betreuer: Achim Endruschat (Fraunhofer IISB) – Telefon: 09131-761322; Email: Achim.Endruschat@iisb.fraunhofer.de

Für Studienfächer: EEI, Mechatronik, Energietechnik

Verantwortlicher: Prof. Dr.-Ing. Martin März