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FP – Treiberschaltung für 3,3 kV SiC MOSFET

Untersuchung und Layout einer Treiberschaltung für 3,3 kV SiC MOSFET

Ziel des Forschungspraktikums ist es, eine Treiberschaltung für parallelgeschaltete 3,3 kV SiC Mosfets in Luftfahrtanwendungen zu untersuchen. Im Rahmen der Arbeit sollen vergleichbare Schaltungen recherchiert werden und ein konkretes Schaltungsdesign und Layout entwickelt werden. Zu berücksichtigen sind dabei besonders die Anforderungen hinsichtlich Luft- und Kriechstrecken für den Einsatz in großen Flughöhen bis 15.000 m. Optional kann die fertig gelayoutete Platine im Rahmen der Arbeit beschafft und bestückt werden.

Bearbeiterin: reserviert für Mina Jahani

Betreuer: Christian Bentheimer (Fraunhofer IISB) – Telefon: 09131-761634; Email: Christian.Bentheimer@iisb.fraunhofer.de;
Florian Hilpert (Fraunhofer IISB) – Telefon: 09131-761122; Email: Florian.Hilpert@iisb.fraunhofer.de

Verantwortlicher: Prof. Dr.-Ing. Martin März