BA – Untersuchung des Schaltverhaltens eines hochsperrenden Micro-Pattern-Trench-IGBTs

Im Rahmen dieser Bachelor-Arbeit soll das Schaltverhalten eines hochsperrenden Micro-Pattern-Trench IGBT-Leistungsmoduls mithilfe des klassischen Doppelpuls-Versuches untersucht werden. Dabei sind das Ein- und Ausschaltverhalten des IGBTs sowie das Ausschaltverhalten der Diode im vorliegenden Modul mittels Gate-Widerständen einzustellen – unter Berücksichtigung der Reverse Bias Safe Operating Area (RBSOA) beim Ausschalten des IGBTs und der Reverse Recovery Safe Operating Area (RRSOA) beim Ausschalten der Diode. Ziel der Arbeit ist die Charakterisierung des Moduls und die Bestimmung von Kennwerten wie Schaltenergien, Spannungsänderungs- und Stromänderungsgeschwindigkeit. Der Aufbau des temperierten Messversuchs sowie dessen Inbetriebnahme sind Bestandteil der Arbeit.

Bearbeiter: Jana Cyrol

Betreuer: Frank Schremmer (Siemens Energy)

Verantwortlicher:  Prof. Dr.-Ing. Martin März