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MA – Untersuchung und Aufbau eines Wechselrichters auf Basis von GaN Leistungshalbleitern

Untersuchung und Aufbau eines Wechselrichters auf Basis von GaN Leistungshalbleitern

Im Rahmen der Arbeit sollen neuartige GaN-Schalter untersucht und anhand einer Wechselrichterschaltung erprobt werden. Besonderes Augenmerk ist auf das Thema Kurzschlussschutz, d.h. die Kurzschlussüberwachung und sichere Kurzschlussabschaltung, zu legen. Zur Validierung der Machbarkeit der entwickelten Konzepte ist ein Labormuster aufzubauen. Die Charakterisierungsergebnisse sind umfassend zu dokumentieren.

Betreuer: Taha Lahlou (Siemens AG) – Telefon: 0172-1978617; Email: taha.lahlou@siemens.com

Für Studienfächer: EEI, Mechatronik, Energietechnik

Frühest möglicher Beginn: Sofort

Verantwortlicher: Prof. Dr.-Ing. Martin März