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FP – Charakterisierung einer Parallelschaltung mit 650 V GaN-MOSFETs

Charakterisierung einer Parallelschaltung mit 650 V GaN-MOSFETs

Der Einsatz von effizienteren Wide-Band-Gap (WBG) Halbleitern im Automobilbereich ermöglicht leistungselektronische Systeme mit höheren Leistungsdichten. So lassen sich kompakte, hochintegrierte und effiziente Antriebssysteme konzipieren, die die Zukunft der Elektromobilität darstellen.

Im Rahmen des Forschungspraktikums soll eine Parallelschaltung mit 650 V Galliumnitrid MOSFETs untersucht werden, die in einer B6-Topologie eine Leistungsklasse von 30 kW ergeben. Das Ziel in dem Praktikum sind Ergebnisse über das Schaltverhalten und die Symmetrierung der MOSFETs mit einem Doppelpulsversuch zu ermitteln. Dafür sollen der Versuch vorbereitet und die Messergebnisse ausgewertet werden. Für den Versuch sind geeignete Strom- und Spannungsmessmethoden zu untersuchen.

Bearbeiterin: reserviert für Christelle Pouatcha

Betreuer: Julian Körner (Fraunhofer IISB) – Telefon: 09131-761120; Email: Julian.Koerner@iisb.fraunhofer.de

Für Studienfächer: EEI

Frühest möglicher Beginn: Mai 2018

Verantwortlicher: Prof. Dr.-Ing. Martin März